简介： 本发明提供一种功率器件的制造方法，提供一形成有IGBT元胞结构的晶圆，IGBT元胞结构包括在形成ILD层之前在晶圆表面形成的氮化硅层；在晶圆的正面形成金属电极；对晶圆的背面进行Taiko减薄；在晶圆的背面进行离子注入并退火形成集电区；利用化学镀工艺在金属电极上镀上目标金属；在晶圆背面形成背面金属层；进行芯片测试；去除晶圆背面的Taiko环。本发明通过在形成ILD层之前在晶圆表面形成氮化硅层，使得晶圆背面形成的Taiko环有氮化硅层保护，解决了IGBT化镀工艺导致背面金属脱落的问题，避免了造成晶圆碎片或机台沾污。