简介： 本发明公开了一种垂直结构LED的衬底剥离方法，该垂直结构LED包括依次层叠的高掺硅层、LED芯片层和硅衬底层，该方法包括以下步骤：1)首次超声清洗；2)研磨：使用金刚石磨盘对硅衬底层进行研磨，设置减薄量为硅衬底层总厚度的20?90％；3)再次超声清洗；4)刻蚀：使用感应耦合等离子体对残余硅衬底层进行刻蚀，刻蚀腔压力为10?3?10?5Pa，刻蚀气体为SF6。本方法采用物理研磨与化学刻蚀相结合的方式，以去除垂直结构LED的硅衬底，而对LED芯片层或高掺硅层几乎没有影响，可提高LED器件性能，可广泛应用于LED、LD、光电探测器、太阳能电池等领域。