简介： 本发明提供一种改善层间介质层研磨后返工工艺的方法，用于对层间介质层研磨后的半导体衬底进行返工，所述层间介质层被过量研磨，所述层间介质层具有目标厚度，包括：测量所述层间介质层的实际厚度；根据所述层间介质层的实际厚度与所述层间介质层的目标厚度的差异，获得补偿膜层的厚度，所述补偿膜层用于覆盖所述层间介质层的表面；获得覆盖膜层的目标厚度，所述覆盖膜用于覆盖所述补偿膜层的表面；根据所述补偿膜层与所述覆盖膜层的厚度之和，进行一次沉积工艺，形成所述补偿膜层和覆盖膜层。本发明减少了等离子体增强化学气相沉积工艺给下方的层间介质层带来的损伤，减少了研磨误差带来的器件性能漂移。