简介： 本发明公开了一种金属前介电层应力恢复的方法,金属前介电层具有接触孔,接触孔刚经过清洗,包括:使用紫外线灯照射金属前介电层,测量生成金属前介电层后的第一晶圆弯曲度和进行紫外线照射时的第二晶圆弯曲度,将第一晶圆弯曲度和第二晶圆弯曲度进行比较,如果弯曲度差小于10微米,则停止紫外线灯照射,否则,继续紫外线灯照射。根据本发明的方法可有效解决导体器件制造过程中金属前介电层吸收水分引起的应力损失的问题。可以有效地去除金属前介电层在化学机械抛光和清洗等工艺环节中吸收的水分,进而恢复金属前介电层的应力,提高所制造的半导体器件的性能。并且本发明的方法实施成本低,工艺简单、处理时间短,有经济、高效和实用的优点。