简介： 本发明提出了一种铜‑铝纳米接面常温制程方法，包括：保护层印着步骤：将芯片与天线接合成品用铝天线选择性区域印着高分子保护层；将铝天线导线接点的表面进行清理；酸洗水洗步骤：再将该天线接点铝基材放置于酸洗溶液中进行表面腐蚀；利用还原反应的方式在该天线接点铝基材表面形成纳米缓冲层；将天线接点表面涂着反应触媒液以形成可还原金属的活化层；将涂着完成反应触媒的具有纳米缓冲层的天线接点表面放置于含铜离子化学溶液中进行处理；涂着低温锡膏利用低温回焊共金接合将感测式射频标签驱动芯片固着于具无电镀接着金属铜薄膜层的天线接点上。本发明可广泛应用于需要高强度与低阻抗需求的射频标签铝质天线与RFID芯片的界面接合上，成本低廉。