用于多晶硅抛光的低凹陷二氧化硅颗粒的水性组合物
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用于多晶硅抛光的低凹陷二氧化硅颗粒的水性组合物
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简介: 本发明提供一种水性化学机械平面化(chemical mechanical planarization;CMP)抛光组合物,其包括以下的混合物:(a)一种或多种烷氧基化二胺,其数均分子量(Mn)为1,000到20,000或优选地1000到15000并且具有各自含有5到100个烷氧基重复单元的四个(聚)烷氧基醚基;(b)以所述组合物的总重计,0.01wt.%到2wt.%或优选地0.1wt.%到1.5wt.%呈固体的伸长、弯曲或结节状胶体二氧化硅颗粒的一种或多种水性分散体,如通过动态光散射(dynamic light scattering;DLS)所测定,所述一种或多种粒水性分散体的二次粒径为20nm到60nm;以及(c)氨或胺碱,其中所述组合物的pH在9到11的范围内。所述组合物基本上不含金属,如在抛光时可能损坏衬底的碱或碱土金属。
本发明提供一种水性化学机械平面化(chemical mechanical planarization;CMP)抛光组合物,其包括以下的混合物:(a)一种或多种烷氧基化二胺,其数均分子量(Mn)为1,000到20,000或优选地1000到15000并且具有各自含有5到100个烷氧基重复单元的四个(聚)烷氧基醚基;(b)以所述组合物的总重计,0.01wt.%到2wt.%或优选地0.1wt.%到1.5wt.%呈固体的伸长、弯曲或结节状胶体二氧化硅颗粒的一种或多种水性分散体,如通过动态光散射(dynamic light scattering;DLS)所测定,所述一种或多种粒水性分散体的二次粒径为20nm到60nm;以及(c)氨或胺碱,其中所述组合物的pH在9到11的范围内。所述组合物基本上不含金属,如在抛光时可能损坏衬底的碱或碱土金属。
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标签:化学分析
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