简介： 一种刻蚀机台的处理方法包括：预处理：向所述刻蚀机台的反应腔内多次打入含有氧自由基及氢自由基的等离子体，以去除反应腔内的水汽及反应腔表面的Si‑C键；灰化处理：将表面具有光刻胶的晶圆控片置于所述反应腔内，并采用含有氧自由基的等离子体对光刻胶进行处理，以使光刻胶解离，且去除反应腔表面的Si‑OH键，解离产物能够附着在所述反应腔表面。本发明刻蚀机台的处理方法能够避免等离子体与反应腔表面的化学键结合，从而避免在后续的测机作业中出现颗粒物数量过高的情况，大大减小刻蚀机台宕机时间及次数。