简介： 本实用新型提供了一种机台腔体监控装置，包括：温度传感器，用以测量腔体内半导体上覆盖的液体层的温度；图形传感器，用以测量腔体内半导体上覆盖的液体层的形态。据此，采用本实用新型提供的机台腔体的监控装置，能够直接监控清洗或湿法刻蚀化学反应处的实时温度、实时反应物接触情况（液体膜层在半导体上覆盖的情况），从而能够采集到对工艺影响的更直接的技术参数，提升了清洗或湿法刻蚀工艺的工艺精度，扩大了该工艺的适用半导体加工的技术节点范围。