简介： 本发明公开了碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法，包括以下步骤：S1、采用镀膜设备镀膜，测量非金属掩膜层膜厚H1、折射率N1；S2、采用加密设备加密，测量其膜厚H2、折射率N2；S3、判断加密工艺有效性；S4、判断S1、S2步骤是否结束；S5、采用光刻工艺制作光刻胶掩膜；S6、采用刻蚀工艺刻蚀非金属掩膜、采用化学腐蚀工艺去除残留光刻胶；S7、采用刻蚀工艺刻蚀碳化硅沟槽；S8、观察碳化硅沟槽刻蚀形貌，计算选择比Selectivity，判定刻蚀完整性。本发明用以解决非金属掩膜作碳化硅刻蚀掩膜刻蚀选择比小于3，碳化硅沟槽线宽损失大的问题。