简介： 本发明属于二维材料异质结光探测领域，公开了一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结及其制备方法和应用。该二维硫化钼/硫化铟横向异质结是通过化学气相沉积法先将二氧化硅片平放在三氧化钼粉末的上方，置于管式炉的中间，将升华硫粉末放置在管式炉气流上游；在氮气气氛下，升温至680～800℃保温，在二氧化硅衬底上制得单层二维硫化钼单晶，通过湿法将单层二硫化钼转移至云母片上；然后将云母片平放在三硫化二铟粉末的上方，放置在管式炉中间；升温至750～980℃保温，自然冷却制得。本发明方法简单，反应条件易于控制，生长的二维异质结稳定，该异质结经过光刻，显影等步骤后，可成功在异质结两端搭建电极，具有良好的光探测应用前景。