简介： 本发明涉及芯片尺度温度测量技术领域，更具体地，涉及一种全光调谐温度传感器及其制备方法。包括以下步骤，1)采用热蒸镀的方法在具有二氧化硅牺牲层的硅片上沉积硫系薄膜，利用电子束曝光、反应离子刻蚀及湿法化学腐蚀等工艺在硫系薄膜表面加工自由站立的微盘谐振器主体；2)在微盘谐振器主体上选择性地沉积光致热敏材料作为吸收层，即可完成温度传感器的制作；本发明还公开了一种全光调谐的温度传感器，从下往上包括硅片、二氧化硅牺牲层、图形化的硫系薄膜和光致热敏材料吸收层；本发明利用光致热敏材料对光强吸收后易发热的机理，来增强硫系微盘谐振器的热响应度，从而有效提高全光调谐温度传感器的探测灵敏度。