简介： 本发明公开了一种基于超构表面结构的像素级片上光谱芯片工艺制备方法，采用紫外光刻、扩散、电子束蒸发镀膜、刻蚀等工艺在InP/InGaAs/InP材料上制备宽波段InGaAs光敏元，采用纳米压印、反应离子刻蚀、低压化学沉积等工艺片上集成制备像素级微滤光面阵，微滤光单元与光敏元一一对应，最后采用倒装互联焊接工艺将读出电路与宽波段InGaAs光敏元集成微滤光面阵精准对接互联。本发明的有益效果：适用于光谱成像仪小型化需求，实现精细的图谱信息采集，根据不同观测物特征波长设计制备多通道窄带滤光片，实现对不同被测目标的光谱成像，兼容MEMS工艺制备，其次采用纳米压印工艺使批量制备成本低，有利于推广应用。