简介： 本发明公开了一种电场传感器探头的制作工艺，其技术方案要点是，具体包括以下步骤：S1、切片：切片时选择电场方向平行于铌酸锂晶体z轴方向的X切Z传铌酸锂晶体制备为衬底切片；S2、蒸发：在所述S1中的衬底切片上采用化学气相沉积技术制备缓冲层钛作为掩模；S3、光导波刻；S4、PECVD：进行钛扩散，将铌酸锂晶体放在湿氧的环境中进行钛扩散以抑制LiO2外扩发生，抑制LiNb3O8晶相生成，降低晶体光折变的敏感性；S5、光刻电极；S6、电镀；S7、磨切；本电场传感器探头的制作工艺具有生产流程短，生产出的电场传感器探头具有可测动态范围大、响应速度快、频率范围宽、对电场畸变小、测量精度高、与一次设备无电气连接、全绝缘等特点。