简介： 本发明公开了一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺，其实验工艺包括以下步骤：S1、首先将抛光液、清洗剂、活性剂、氢氧化钾溶液按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用，使用单抛机系列，并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节，可根据不同的来料类型，设定不同的加工工艺，运用两到不同抛头进行加工，S2、然后通过将第一个抛头设定为粗抛，粗抛垫型号、抛光液型号根据产品的加工要求可自行选择，粗抛垫随着加工寿命的减少，在抛头压力的作用下，中心部位的磨损程度会大于边缘部位，在粗抛工艺中加入一定配比的氢氧化钾溶液，可以加快化学反应速率。