简介： 本发明公开了N‑Si基板的抛光工艺，包括如下步骤：A、粗抛光；B、精抛光；C、化学机械抛光；D、对N‑Si基板进行进行切割；E、将基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中；F、将基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中；G、将N‑Si基板放置于装有去离子水的烧杯中；H、检查基板表面是否有残留物；I、使用氮气将基板表面吹干，放置烤箱中烘烤10分钟，即完成抛光工艺。本发明中，采用PH为9.5，浓度为15％，粒径为30nm的硅溶液，以H₂O₂和硅溶液比为1:10的比例范围加入H₂O₂，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm²，抛光盘转速为60rpm，抛光时间在1.2小时，实现对于基板的进一步精准抛光，增加抛光的平滑度。