简介： 本公开涉及再生PECVD设备或DRY ETCH设备腔体中的构件的方法，该方法包括以下连续步骤：(a)对所述构件的表面进行喷砂处理；(b)用浓度为40‑100g/L的无机酸溶液清洗所述构件的表面；(c)检查所述构件的表面；(d)对所述构件的表面进行激光定点清洗；(e)对所述构件的表面进行超声波清洗；(f)对所述构件的表面进行研磨处理；(g)对所述构件的表面进行喷砂处理；(h)使用干冰对所述构件的表面进行清洗；(i)用酸性或碱性溶液对所述构件的表面进行化学刻蚀；(j)对所述构件的表面进行超声波清洗；(k)对所述构件的表面进行高压清洗；以及(l)干燥所述构件的表面。