简介： 本发明公开了一种离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，包括：步骤S1，在裸硅片上沉积保护层；步骤S2，在所述保护层的表面生长一铜层；步骤S3，利用化学机械研磨工艺对铜层进行减薄；步骤S4，测试研磨后的铜层电阻并作为前值电阻；步骤S5，将测试后的硅片进行待测试的介电层沉积工艺中的铜表面预处理步骤；步骤S6，测试预处理后硅片中的铜层电阻并作为后值电阻；步骤S7，后值电阻与前值电阻的差值即为介电层沉积工艺对铜电阻的影响量。本发明操作简单，灵活性强，不但可以及时有效地进行晶圆的电性监控，还可以有效控制介电层沉积工艺的稳定性，而且最大化地避免介电层沉积工艺发生偏差时对产品的影响程度。