简介： 本发明涉及一种二维有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途。一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体，所述的无机‑有机杂化半导体材料的化学式为(C6H5CH2NH3)4AgBiBr8。本发明制备了一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体，本发明的有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体制备成平面光电导探测器可实现对本征吸收光谱的高灵敏度探测。利用波长为405nm的激光照射该单晶晶体探测器件，测试其光电响应。当入射光的功率密度为50.9mW/cm2时，该晶体器件表现出明显的光电导效应，光电流和暗电流的比值可以达到1.8×103。该结果表明该材料用作光电导探测器件具有潜在的应用价值。