GaN基材料的温度控制
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GaN基材料的温度控制
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简介: 一种用于晶圆处理反应器例如化学气相沉积反应器(10)的原位温度测量的方法,优选地包括下列步骤,加热所述反应器直到所述反应器达到晶圆处理温度,并且在所述反应器内绕旋转轴(42)旋转晶圆支撑元件(40)。所述方法优选地进一步包括,当所述晶圆支撑元件(40)绕所述旋转轴(42)转动时,利用第一工作高温计(71)接收来自于所述晶圆支撑元件的第一部分的辐射,获得第一工作温度测量值,并且利用晶圆温度测量器件(80)接收来自至少一个晶圆(46)的辐射,获得第一晶圆温度测量值,所述晶圆温度测量器件位于第一工作位置(A)。
一种用于晶圆处理反应器例如化学气相沉积反应器(10)的原位温度测量的方法,优选地包括下列步骤,加热所述反应器直到所述反应器达到晶圆处理温度,并且在所述反应器内绕旋转轴(42)旋转晶圆支撑元件(40)。所述方法优选地进一步包括,当所述晶圆支撑元件(40)绕所述旋转轴(42)转动时,利用第一工作高温计(71)接收来自于所述晶圆支撑元件的第一部分的辐射,获得第一工作温度测量值,并且利用晶圆温度测量器件(80)接收来自至少一个晶圆(46)的辐射,获得第一晶圆温度测量值,所述晶圆温度测量器件位于第一工作位置(A)。
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标签:化学分析
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