简介： 本发明提供一种SiC外延层的制备方法及装置，其中制备方法包括以下步骤：提供一SiC衬底，并将SiC衬底放入一反应腔室中；向反应腔室通入反应气体及掺杂气体，使反应气体及掺杂气体吹向SiC衬底表面，且反应气体及掺杂气体的气流方向垂直于SiC衬底表面；加热SiC衬底，并采用化学气相沉积法在SiC衬底表面生长SiC外延层；采用光波监测系统监测正在生长的SiC外延层的掺杂浓度，并根据监测到的掺杂浓度控制通入的掺杂气体的气体流量。本发明将反应气体及掺杂气体垂直吹向SiC衬底表面，并可采用光波监测系统实时监测掺杂浓度，从而在所述SiC衬底表面获得厚度均匀性及掺杂浓度均匀性均较高的SiC外延层，实现对掺杂浓度的精确控制，获得高产率、高性能的SiC外延层。