简介： 一种半导体装置、半导体结构的形成方法，其中所述半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层；采用化学机械研磨工艺平坦化所述介质层；进行测量步骤，测量平坦化后的介质层厚度；判断测量的介质层厚度是否达到目标厚度，若平坦化后的介质层的厚度未达到目标厚度，获得测量的介质层的厚度与目标厚度的差异值，并基于该差异值进行沉积步骤，在平坦化后的介质层上形成第一补偿介质层；若平坦化后的介质层的厚度达到目标厚度，则结束。本发明的方法通过自动测量和反馈的方式形成第一介质补偿层，提高了形成的介质层厚度的精度。