简介： 提出一种半导体装置的制造方法。本文描述了测试垫结构及测试垫的形成方法。一种用于形成测试垫的方法，包括：形成装置元件于基板上方；沉积介电层于装置元件及基板上方；以及蚀刻开口于介电层中至第一深度。一旦形成开口，沉积导电材料于开口中，随后化学机械平坦化，以形成测试垫的第一栅格部件及面板区，第一栅格部件从面板区纵向延伸至测试垫的周边。一旦形成，可在装置元件的晶圆接受度测试(wafer acceptance test,WAT)及/或制程控制监视(process control monitoring,PCM)测试期间使用探针来接触测试垫的面板区。