简介： 本发明公开了一种工艺腔室用控温装置、控温方法和工艺腔室。包括第一测温单元，用于测量测温窗的当前温度；第二测温单元，用于测量硅片的当前温度；第一温度控制单元，用于将测温窗的当前温度与预设的测温窗目标温度进行比较，当两者不一致时，调整测温窗的当前温度，以使得两者一致。能够有效避免因测温窗温度过低出现的反应气体在测温窗内凝结的现象以及因温度过高出现的反应气体在测温窗内发生化学沉积的现象，提高测量硅片的温度的准确性。