简介： 本发明公开一种零欧姆柱状电阻的制备方法，包括以下步骤：S1、采用化学镀镍工艺，在陶瓷基体表面镀制内电阻层，使内电阻层阻值小于1Ω；S2、在陶瓷基体两端压接帽盖；S3、采用电镀镍工艺，在内电阻层表面镀制外电阻层，外电阻层与内电阻层共同构成零欧姆柱状电阻的电阻膜，使电阻膜的阻值小于0.05Ω；S4、在外电阻层表面涂覆绝缘层；S5、在帽盖表面电镀锡层，得到所述零欧姆柱状电阻；本发明结合化学镀镍工艺与电镀镍工艺，可以快速使镍层厚度增加，使得外电阻层与内电阻层共同构成的电阻膜阻值最低可以做到0.01～0.03Ω，可以完全满足零欧姆电阻测试小于0.05Ω的要求，且工艺简单，成本低廉。