简介： 本发明提供了一种单一取向ZnGa₂O₄薄膜的制备方法，包括以下步骤：以有机锌化合物作为锌源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底表面沉积ZnGa₂O₄薄膜。本发明提供的单一(111)取向ZnGa₂O₄薄膜的制备方法，其利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术，以有机锌化合物作为锌源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，通过生长温度、锌源、镓源和氧气流量的精确控制，实现了高质量单一(111)取向尖晶石结构ZnGa₂O₄薄膜的生长，为实现高性能日盲紫外光探测器提供了便捷有效的手段。