简介： 本发明公开了一种闪存栅极的制造方法，包括步骤：形成浅沟槽场氧隔离出有源区。进行离子注入形成闪存的阱区。在硅衬底的表面依次生长ONO层和多晶硅层并对多晶硅层进行掺杂。在多晶硅层表面沉积金属硅化钨层。依次采用炉管工艺和化学气相淀积工艺生长第四氮化硅层和第五氮化硅层并叠加形成栅极硬掩膜层。采用光刻刻蚀工艺依次对栅极硬掩膜层、金属硅化钨层和多晶硅层进行刻蚀并形成闪存的栅极。本发明能够使栅极保持良好的形貌，能对闪存的ONO缺陷进行良好的修复从而提高闪存的寿命以及消除单独采用化学气相淀积工艺形成氮化硅层时所带来的耐久性测试问题，能有效防止多晶硅耗尽。