简介： 本发明涉及一种纳米光电器件的制备方法，具体是指一种基于胶体化学合成硫化镉纳米棒的纳米光电器件的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术，在具有200nmSiO2层的单晶硅(Si)衬底上制备出具有纳米间隙的Au电极，然后采用介电电泳(DEP)的方法，室温下于电极之间组装CdS纳米棒，纳米光电器的光电性能测试结果显示该器件具有很好的光电响应。本发明的优点是：胶体化学法装置简单，并可以规模化生产，制备的纳米棒性能稳定；由于只用几个纳米棒来构建器件，器件反应灵敏；另外，该制备工艺具有可控性强，操作简单，普适性好等特点，具有很大的应用前景。