简介： 本发明公开了一种NiCo₂O₄@Ni‑Co‑S纳米片阵列核壳结构材料的制备方法，用于解决现有方法制备的NiCo₂O₄基复合材料性能差的技术问题。技术方案是将在集流体泡沫镍上长有NiCo₂O₄纳米片阵列的基底置于Ni(NO₃)₂·6H₂O、Co(NO₃)₂·6H₂O和硫脲混合溶液中，在三电极体系下进行电化学沉积反应，在泡沫镍上生成核壳结构NiCo₂O₄@Ni‑Co‑S纳米片阵列。经电化学性能测试，本发明制备的复合电极材料在电流密度为1A g^‑1时质量比电容高达2610.6F g^‑1，在20A g^‑1时倍率为89.0％，在25mV s^‑1扫描速率下，5000次循环的比电容保持率为88.21％。