简介： 本发明提供一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：连续横向区域的多晶硅薄膜去除镍硅氧化物、纳米二氧化硅层和化学氧化层，以Freckle刻蚀液湿刻成有源硅岛，通过低压化学气相沉的方法在425℃下沉积50纳米厚的低温氧化物作为栅极绝缘层；形成栅电极，将硼以4×1015/cm2计量离子注入源极和漏极；以LPCVD的方法沉积500nm的氧化物作为绝缘层并在栅极、源极和漏极区域上开电极接触孔；溅射700纳米厚的含1％Si的铝光刻形成测试电极，在氢气与氮气的合成气体中420℃下烧结30分钟以形成良好的欧姆接触，同时活化掺杂物。