简介： 本发明提供一种顶层金属互连层的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成器件结构，并在所述器件结构上形成若干层底层金属互连层；利用电镀工艺，在所述若干层底层金属互连层上形成顶层金属互连层，所述顶层金属互连层的晶粒尺寸小于1μm；接着，直接对所述顶层金属互连层进行化学机械研磨工艺；在所述顶层金属互连层上覆盖钝化层。本发明所述顶层金属互连层的制造方法，能够避免顶层金属互连层晶粒尺寸增加，使晶体尺寸控制在小于1μm的范围之内，从而在保持半导体器件的晶圆导通测试合格率同时，保证在化学机械研磨工艺过程中，提高顶层金属互连层的机械抗压力，避免半导体器件发生断裂、坍塌等问题，进一步提高产品良率。