简介： 本发明涉及一种Cr₂O₃晶体的制备方法，包括如下步骤：以铬前体材料为反应源，以卤素为辅助材料，将衬底置于生长区；以及在常压和保护气体氛围下，以氢气和所述保护气体的混合气体作为工作气体，加热衬底和所述反应源，在所述衬底上化学气相沉积形成Cr₂O₃晶体。经过测试验证，上述Cr₂O₃晶体的制备方法通过卤素(碘)辅助控制化学气相沉积方法，制得的Cr₂O₃晶体的横向尺寸达到微米级(3μm～5μm)。