简介： 半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法，涉及半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，尤其是使用廉价的乙二醇和硫酸为原料，使用工艺简单的液相化学反应法制成溶液然后旋涂再高温退火处理得到光电性能良好的半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法。本发明的半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法，其特征在于该制备方法采用乙二醇和硫酸按一定摩尔比反应生成后的溶液经旋涂退火后一次性生成硫掺杂石墨烯薄膜，包括液相化学反应、旋涂和退火三个步骤。本发明通过硫掺杂的方式，调制了石墨烯薄膜的能级，有效地改变了石墨烯薄膜的性能，从而使本发明制备得的硫掺杂石墨烯薄膜具有更优良的光电及发光调制性能，可用于光电探测器领域。