简介： 本发明公开了一类打断共轭型聚合物半导体材料及其制备方法和应用，该半导体材料的结构以环戊并二噻吩为骨架，具有选自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化学式的结构：制备方法：先通过环戊并二噻吩酮或者其衍生物与格氏试剂反应制备叔醇，然后在室温下，通过叔醇的傅克均聚反应，合成打断共轭型聚合物。本发明提供的聚合物材料有很宽的紫外吸收峰、窄的能带结构和电化学稳定性良好并可以捕获电子等性能特点，在有机电存储、太阳能电池和近红外探测领域具有很好的应用前景。且该材料的制备方法具有操作简单、反应条件温和、产率高等特点，易于工业应用。