简介： 本发明属于去耦设计方法技术领域，具体涉及一种石墨烯吸波超表面去耦设计方法，包括下列步骤：基于阻抗匹配理论，建立组合结构吸波材料的物理模型；计算吸波层的方阻值；利用CST软件实现吸波材料几何结构建模；获得吸波特性仿真参数；利用化学气相沉积CVD法制备石墨烯，利用激光刻蚀技术制备超表面吸波材料样品；测试吸波特性和芯片间隔离度。本发明基于阻抗匹配特性，研究不同电导率石墨烯薄膜电磁损耗特性，提高电磁波吸收率，采用十字型和四凹字组合结构，利用仿真软件实现超表面单元优化设计，实现双频谐振；利用陶瓷制备化学性能稳定的超薄介质层。