简介：
本发明涉及一种(InxGa1‑x)2O3宽禁带半导体材料的制备方法及其应用，包括以下步骤：步骤1、氧化镓、氧化铟和碳粉混合粉末的制备；步骤2、通过化学气相沉积法(CVD)实现(InxGa1‑x)2O3宽禁带半导体材料的制备（0
本发明涉及一种(InxGa1‑x)2O3宽禁带半导体材料的制备方法及其应用，包括以下步骤：步骤1、氧化镓、氧化铟和碳粉混合粉末的制备；步骤2、通过化学气相沉积法(CVD)实现(InxGa1‑x)2O3宽禁带半导体材料的制备（0
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标签：化学分析
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