盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用
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盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用
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简介: 该发明以邻苯二胺为功能单体、盐酸克伦特罗(CLB)为模板、体积配比为1:2的乙腈与去离子水的混合液为洗脱剂,在以玻碳电极为工作电极、铂丝电极为对电极,饱和Ag/AgCl电极为参比电极的三电极系统中,采用循环伏安(CV)法扫描20圈。该模板分子经过洗脱后,使玻碳电极表面形成了CLB分子印迹的聚合物修饰膜,即CLB分子印迹电化学传感器。以该传感器为工作电极对CLB实施了电化学测定。结果表明,在5mol·L‑1 K3[Fe(CN)6]溶液中,该传感器的DPV峰电流与CLB浓度在2.02×10‑8~2.19×10‑6 mol·L‑1范围内有良好的线性关系。通过对三种与CLB结构类似的干扰物选择性实验的结果表明该传感器的选择性能良好。
该发明以邻苯二胺为功能单体、盐酸克伦特罗(CLB)为模板、体积配比为1:2的乙腈与去离子水的混合液为洗脱剂,在以玻碳电极为工作电极、铂丝电极为对电极,饱和Ag/AgCl电极为参比电极的三电极系统中,采用循环伏安(CV)法扫描20圈。该模板分子经过洗脱后,使玻碳电极表面形成了CLB分子印迹的聚合物修饰膜,即CLB分子印迹电化学传感器。以该传感器为工作电极对CLB实施了电化学测定。结果表明,在5mol·L‑1 K3[Fe(CN)6]溶液中,该传感器的DPV峰电流与CLB浓度在2.02×10‑8~2.19×10‑6 mol·L‑1范围内有良好的线性关系。通过对三种与CLB结构类似的干扰物选择性实验的结果表明该传感器的选择性能良好。
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标签:化学分析
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