简介:
本发明涉及一种基于绝缘隔板优化的开关柜绝缘水平提升方法,其特点是:制作绝缘隔板样片,测量样片表面原子种类、含量和化学键占比,建立隔板分子结构模型并进行优化,计算隔板样片分子的带隙宽度及电子亲和势,在隔板分子最优结构模型中添加特定元素,再次优化分子结构模型,构建宽散射截面和高逸出势垒的低二次电子发射系数表面结构,采用离子溅射、真空蒸镀和化学刻蚀处理,进一步改性绝缘隔板。本发明设计合理,其通过合理修饰隔板表面状态,可提升开关柜在高温、高湿、凝露和污秽环境下的绝缘水平,为提高电力装备绝缘水平和运行可靠性提供理论依据和实践方法。
本发明涉及一种基于绝缘隔板优化的开关柜绝缘水平提升方法,其特点是:制作绝缘隔板样片,测量样片表面原子种类、含量和化学键占比,建立隔板分子结构模型并进行优化,计算隔板样片分子的带隙宽度及电子亲和势,在隔板分子最优结构模型中添加特定元素,再次优化分子结构模型,构建宽散射截面和高逸出势垒的低二次电子发射系数表面结构,采用离子溅射、真空蒸镀和化学刻蚀处理,进一步改性绝缘隔板。本发明设计合理,其通过合理修饰隔板表面状态,可提升开关柜在高温、高湿、凝露和污秽环境下的绝缘水平,为提高电力装备绝缘水平和运行可靠性提供理论依据和实践方法。