简介： 本发明具体涉及一种碳布原位生长中空三维Co₉S₈/Ni‑Co‑Mo羟基氧化物核壳电极材料的制备方法，中空Co₉S₈纳米管有利于电解质渗透，并且硫化钴具有高导电性，同时使材料的结构稳定性提高，外延生长Ni‑Co‑Mo羟基氧化物纳米片具有较高的比电容，形成的中空三维网络结构为电子和离子传输和渗透提供通道和更多活性位点，从而提高电化学性能，电化学性能测试结果表明，在电流密度为3 mA cm^‑1时，单电极比容量达到6.2 F·cm^‑2。