简介： 本发明公开了一种非线性光学增强氮化硅薄膜制备方法，该发明属于薄膜非线性光学技术领域。该发明采用原子层薄膜沉积技术制备氮化硅薄膜，通过调控前驱物组份的化学计量比，实现氮化硅薄膜非线性光学增强的效果。具体是指将洁净的衬底放置在镀膜夹具后，利用原子层沉积方法获得氮化硅薄膜，采用流量控制方式，实现硅氮元素化学计量比控制在1：10‑10：1范围内，膜层厚度范围20‑300nm。通过Z扫描的方法测试氮化硅薄膜的非线性光学特性。根据本发明的方法制备的氮化硅薄膜性能优异，能够应用于吸收型光开关或吸收型光双稳器件等领域。另外，本发明关于一种氮化硅薄膜非线性光学增强的制备方法操作简单，制备周期短，成本低，效果显著。