简介： 本发明属于新材料技术制备领域，具体为Ti2AlC MAX相薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射的方式，溅射元素Ti和Al靶为固体复合靶，通过计算元素溅射率和测得的薄膜化学元素比调整固体靶的面积比，从而得到薄膜中理想的化学元素比；采用C的氢化物C2H2气体作为C元素靶来提高C元素的活性，通过控制通入的气体Ar气和C2H2气体的流量大小和比例，使薄膜中的最终元素比达到接近Ti2AlC的化学元素比。本发明通过改变基体温度，沉积时间和溅射功率等参数，可较为精确的调整制备薄膜的厚度、晶粒尺寸，从而得到厚度和晶粒尺寸可控的纯相高品质多晶薄膜。