简介： 本发明涉及一种利用等离子体辅助化学蚀刻技术降低半导体晶片的波纹性的方法。该方法包括在晶片的一个表面上的不连续点处独立于其相对表面测量表面轮廓、根据所测得的表面轮廓计算一个停留时间相对于位置的图以及利用等离子体辅助化学蚀刻技术从晶片的每一个表面上选择性地去除材料以降低晶片的波纹性。