简介： 本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括：基底；振动膜，位于所述基底的上方，其中，所述振动膜包括位于外侧的固定区域和位于中间的振动区域，所述固定区域中与所述振动区域相连接的部分呈锥形结构；背板，位于所述振动膜的上方；空腔，位于所述振动膜和所述背板之间。所述振动膜，不仅仅解决掉落测试(drop test)的振动膜(VP poly)破碎的问题。同时把振动膜的固定区域(VP anchor)安放在到基底上而不是氧化物(oxide)上面，解决BOE刻蚀的间隙底切问题(Gap under cut issue)，同时也增大了BOE的工艺窗口，降低了电化学效应影响(galvanic effect impact)。