简介： 本发明一种零偏压工作石墨烯光电器件及其制备方法，包括以下步骤：(1)利用化学气相沉积法生长制备石墨烯薄膜；(2)转移所述石墨烯薄膜至预先制备的氧化衬底表面；(3)在所述石墨烯薄膜表面图案化形成石墨烯条带结构；(4)在所述石墨烯薄膜表面的两端沉积金属形成两个金属电极；(5)在所述石墨烯薄膜经图案化的表面进行量子点图案化。通过此制备方法得到的一种能在没有外接偏压下工作的石墨烯光电器件，有效避免石墨烯光电器件在偏压下工作时会产生极大的暗电流，影响器件的寿命和测量精度的问题，通过将量子点精确的覆盖在我们想要的区域，工艺流程简单，与半导体微纳技术紧密结合，具有很强的实用性。