简介： 一种等离子体辅助硒硫化处理装置,设置于真空室内,包括壳体、阴极板和阳极板,阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器,阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽,阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为:1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层,然后放入阴极板的沟槽中;2)将其置于真空室内抽真空,打开电源加热阴极板和阳极板,启动等离子体发生器电源,并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点:硒原子的反应活性高,金属预制层的硒化反应完全,光电转换效率高;基片的加热温度低,不易变形;采用电子方式监控两电极间容抗的变化,了解转化的进展,减少工业化生产的废品率。