简介： 本发明属于化学气相沉积真空设备及微纳薄膜生产技术领域，具体公开了一种分源定位真空管式炉装置，包括气体流量控制器、置源组件、第一法兰盘、管式炉石英管和第二法兰盘，置源组件包括第一接口、置源管、伸缩管和测温管，置源管和气体流量控制器通过第一接口相互连通，伸缩管套设于置源管外，测温管一端穿过第一接口并容置于置源管内；第一法兰盘一端面设置有和多个置源组件一一对应安装的多个第二接口，管式炉石英管两端分别安装有第一法兰盘和第二法兰盘。本发明提供的装置可将化学气相沉积生长所需的各个分子源独立分开控制，独立调节各个分子源的温度、流速和位置，能够精度满足纳米薄膜生长需求，法兰端真空接口扩展容易，调整方便。