简介： 一种Sb2(Sex, S1-x)3合金薄膜及其制备方法，属于半导体材料与器件制备领域，解决现有Sb2Se3和Sb2S3薄膜禁带宽度和能带位置固定的问题，以实现禁带宽度和能带位置的连续可调，得到禁带宽度和能带位置更加合适的无机半导体材料。本发明的Sb2(Sex, S1-x)3合金薄膜，由Sb2(Sey, S1-y)3合金粉末作为蒸发源或者Sb2Se3粉末和Sb2S3粉末作为蒸发源，通过近空间升华法在衬底上制得，其化学表达式为Sb2(Sex, S1-x)3，其厚度小于或等于3μm。所述Sb2(Sex, S1-x)3合金薄膜的制备方法，包括制备蒸发源步骤和蒸发沉积合金薄膜步骤。本发明制备工艺简单、沉积速率高、生产成本低，制备出来的合金薄膜均匀致密、结晶度高，其禁带宽度在1.20eV到1.70eV之间连续可调，可用于制备合金薄膜太阳能电池、光电探测器等光电器件。