简介： 本发明公开了一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法,包括:一、在CMP设备研磨垫(3)下方接入工作电极(1),同时在研磨剂(4)中接入参考电极和微电极,参考电极和微电极分别与工作电极连接并与一台处理器连接以测量电流和电势;二、在研磨剂中加入腐蚀抑制剂,在硅片(2)上方施加压力并使硅片和研磨垫产生摩擦作用;三、跟踪处理器上实时的电流和电势的变化来评价腐蚀抑制剂的性能,四、记录三的结果并选定合适的研磨剂中腐蚀抑制剂用于。上述步骤一中工作电极与硅片在硅片的每一个循环周期会接触一次。本发明在CMP过程引入摩擦电化学技术来监控中金属表面的特性变化,从而获得相应的腐蚀抑制剂的精确信息并可据此选择合适的腐蚀抑制剂。