简介： 本发明公开了属于新型半导体器件和纳米电子器件领域的一种基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管。采用应变SiGe层做空穴量子阱,用Si做空穴势垒,形成空穴的双势垒单量子阱结构。用高掺杂P型Si作衬底,在此树底上采用化学气相淀积方法或分子束外延等方法依次淀积上未掺杂的SiGe层、Si层、SiGe层、Si层、SiGe层及重掺杂的P型Si形成的台面结构,并分别在衬底上和台面结构上形成的电极。实验证明在室温下对样品进行电流电压特性测试能够观察到明显的微分负阻现象。制作工艺与当前主流的Si半导体平面工艺相兼容,能够更有效地提高集成电路的集成度。