其中,R为H、Me或OMe,共轭配体Ar为苯基、萘基或蒽基。经电化学方法测试发现,该化合物端基之间具有极强的电子相互作用,可呈现两次连续的单电子氧化还原过程,电位差值ΔE可达到496‑540mV。该共轭配体桥联的二芳胺及钌乙炔端基化合物可广泛应用于分子导线材料中,并为今后混合氧化还原活性端基分子导线及分子电子的发展提供了新的研究思路。">
共轭配体桥联的二芳胺及钌乙炔端基化合物及其应用
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共轭配体桥联的二芳胺及钌乙炔端基化合物及其应用
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简介: 本发明公开了一种共轭配体桥联的二芳胺及钌乙炔端基化合物及其应用,该共轭配体桥联的二芳胺及钌乙炔端基化合物I为:其中,R为H、Me或OMe,共轭配体Ar为苯基、萘基或蒽基。经电化学方法测试发现,该化合物端基之间具有极强的电子相互作用,可呈现两次连续的单电子氧化还原过程,电位差值ΔE可达到496‑540mV。该共轭配体桥联的二芳胺及钌乙炔端基化合物可广泛应用于分子导线材料中,并为今后混合氧化还原活性端基分子导线及分子电子的发展提供了新的研究思路。
本发明公开了一种共轭配体桥联的二芳胺及钌乙炔端基化合物及其应用,该共轭配体桥联的二芳胺及钌乙炔端基化合物I为:其中,R为H、Me或OMe,共轭配体Ar为苯基、萘基或蒽基。经电化学方法测试发现,该化合物端基之间具有极强的电子相互作用,可呈现两次连续的单电子氧化还原过程,电位差值ΔE可达到496‑540mV。该共轭配体桥联的二芳胺及钌乙炔端基化合物可广泛应用于分子导线材料中,并为今后混合氧化还原活性端基分子导线及分子电子的发展提供了新的研究思路。
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