简介： 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法,属特殊晶体生长技术领域。其特点包括:将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内,再向其中加入质量百分数为30%～80%的过量Te,抽真空熔封并在摇摆炉中合成;将合成结束的石英坩埚放入晶体生长装置中,由于过量Te的加入,晶体的生长温度可以从1092℃～1295℃下降到700～900℃;晶体生长过程开始之前,使石英坩埚处于高温区,使其内部的碲锌镉多晶和溶剂Te均处于液相,然后以0.04～2mm/h的速度上升炉体,温度梯度区的温度梯度在15-25℃/cm,随着温度的降低,溶液中碲锌镉的饱和度下降,则坩埚底部不断饱和析出碲锌镉晶体,同时采用不同的施主掺杂(In、Cl-1、Al等)来提高碲锌镉晶体的电阻率,从而制备出探测器级碲锌镉晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度、晶体中杂质浓度及晶体中的缺陷密度。